Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/233891Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Горбачук, Н. И. | |
| dc.contributor.author | Поклонский, Н. А. | |
| dc.contributor.author | Шпаковский, С. В. | |
| dc.contributor.author | Wieck, A. | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-13T10:39:36Z | - |
| dc.date.available | 2019-11-13T10:39:36Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 139-142. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 | |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/233891 | - |
| dc.description | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids | |
| dc.description.abstract | Исследовался импеданс МДП-структур Al/SiO2/n-Si, имплантированных ионами ксенона с энергией 166 МэВ. Флюенс ионов варьировался от 10 8 до 10 12 см−2. Измерения тангенса угла электрических потерь выполнялись в диапазоне частот от 20 до 3⋅10 7 Гц. Установлено, что при флюенсах имплантации (облучения) ≥10 9 см−2 радиационные дефекты вносят в интервале частот 2⋅10 3 – 10 5 Гц определяющий вклад в электрические потери МДП-структур, находящихся в режиме инверсии типа электрической проводимости в пограничном слое n-Si. Показано, что потери обусловлены перезарядкой введенных имплантацией дефектов. | |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена при финансовой поддержке ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника» (подпрограмма «Микро- и наноэлектроника») и «Физматтех». | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-Si | |
| dc.title.alternative | Electrical Losses of Al/SiO2 /n-Si Structures Implanted with Xenon Ions / N.I. Gorbachuk, N.A. Poklonski, S.V. Shpakovski, A. Wieck | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Impedance of MIS structures Al/SiO2/n-Si implanted with xenon ions with energy of 166 MeV was studied. The ion fluence was ranged from 10 8 to 10 12 cm−2. Measurements of electric loss tangent were performed in the frequency range from 20 to 3⋅10 7 Hz. It has been established that at implantation (irradiation) fluences ≥10 9 cm−2 the irradiation-induced defects in the frequency range 2⋅10 3 – 10 5 Hz make a primary contribution to the electric losses of the MIS structures in the mode of electrical conductivity type inversion in the n-Si boundary layer. It is shown that the losses are caused by the recharging of defects introduced by implantation. | |
| Располагается в коллекциях: | 2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 139-142.pdf | 552,41 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.