Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/233872| Заглавие документа: | Поверхностные процессы, происходящие при имплантации монокристаллического германия ионами серебра |
| Другое заглавие: | Surface Processes Arranging at Implantation of Monocrystal Germany with Silver Ions / Alexey M. Rogov, Vladimir I. Nuzhdin, Valery F. Valeev, Andrey L. Stepanov |
| Авторы: | Рогов, А. М. Нуждин, В. И. Валеев, В. Ф. Степанов, А. Л. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2019 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 83-86. |
| Аннотация: | Представлены результаты по регистрации поверхностных процессов, происходящих при низкоэнергетической высокодозовой имплантации монокристаллического c-Ge ионами серебра Ag + в интервале доз (D) от 6.2×10 14 - 1.5×10 17 ион/см2 при постоянных значениях энергии 30 кэВ, плотности тока в ионном пучке 5 мкА/см 2 и температурах подложки от 100 до 400 С. Методами сканирующей электронной и зондовой микроскопии, а также дифракции отраженных электронов обнаружено, что с ростом D до ~1.9×10 16 ион/см 2 наблюдается образование слоя пористого германия (Ag:PGe), сопровождающееся распуханием имплантированной поверхности Ge на толщину до 25 нм. При дальнейшем увеличении D свыше ~1.9×10 16 ион/см2 возникает противоположный эффект, заключающийся в распылении PGe с постоянной скоростью ~3.6 нм/мин при эффективном коэффициенте распыления ~17.2. Экспериментально показано, что толщина распыленного слоя Ag:PGe для максимальной D составляет ~400 нм. |
| Аннотация (на другом языке): | The results of registration of surface processes occurring during low-energy high-dose implantation of Ag + into single-crystal c-Ge with the dose range (D) from 6.2 ×10 14 - 1.5 × 10 17 ion/cm2 with constant values E of 30 keV and current density in the ion beam of 5 μA/cm2 and substrate temperatures from 100 to 400 C are presented. Using scanning electron and probe microscopy, as well as diffraction of backscattered electrons, it was found that with increasing D to ~ 1.9 ×10 16 ion/cm2, a layer of porous germanium (Ag: PGe) is observed, accompanied by swelling of the implanted Ge surface up to 25 nm thick. With a further increase in D over ~1.9 × 10 16 ion/cm2, the opposite effect occurs, which consists in spattering of PGe at a constant rate of ~3.6 nm/min with an effective sputtering rate of ~17.2. It was experimentally shown that the thickness of the spattered Ag: PGe layer for a maximum D is ~400 nm. |
| Доп. сведения: | Секция 1. Процессы взаимодействия излучения и плазмы с твердым телом = Section 1. Processes of Radiation and Plasma Interaction with Solids |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/233872 |
| ISSN: | 2663-9939 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена при финансовой поддержке грантом РНФ № 17-12-01176 «Формирование слоев пористого кремния и германия с металлическими наночастицами методом ионной имплантации». |
| Располагается в коллекциях: | 2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.