Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/233834| Заглавие документа: | Влияние коротко-импульсной имплантации ионов на оптические свойства нанокомпозитных покрытий Al-Si-N, осажденных реактивным магнетронным распылением на кремний |
| Другое заглавие: | The Influence of the Short-Pulse Ion Implantation on the Optical Properties of Nano-Composite Coatings Al-Si-N, Deposited by Reactive Magnetron Sputtering on Silicon / Fedor Konusov, Sergey Pavlov, Alexander Kabyshev, Alexander Lauk, Gennady Remnev |
| Авторы: | Конусов, Ф. В. Павлов, С. К. Кабышев, А. В. Лаук, А. Л. Ремнев, Г. Е. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2019 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 454-456. |
| Аннотация: | Изучено влияние облучения ионами углерода с энергией 200 кэВ в режиме коротко-импульсной имплантации (КИИ) дозами 3-600 МГр на оптические и электрические свойства пленок нитрида алюминия и нанокомпозитных покрытий на основе тройного соединения AlSiN, осажденных реактивным магнетронным распылением на подложки из кремния. Определены энергетические и кинетические характеристики спектров поглощения, обусловленные радиационными дефектами (РД) и их простейшими комплексами, в зависимости от плотности энергии ионного пучка, от содержания кремния в покрытиях и от концентрации существующих до облучения ростовых дефектов. КИИ стимулирует частичный отжиг нестабильных РД и их комплексов на первой стадии облучения при дозах 3-30 МГр, их перераспределение и формирование термостабильных комплексов дефектов на второй стадии при дозах 20-600 МГр. Установлено влияние взаимодействия между локализованными в запрещенной зоне состояниями дефектов ростовой и радиационной природы на свойства. Дозовые зависимости оптических характеристик РД и энергетические характеристики спектров поглощения свидетельствуют о высокой радиационной стойкости покрытий. Радиационная стойкость покрытий обусловлена ограничивающим влиянием ростовых дефектов высокой концентрации на накопление РД, широкой запрещенной зоной нитридов и взаимодействием дефектов посредством обмена носителями заряда между их уровнями. |
| Аннотация (на другом языке): | The effect of irradiation with carbon ions with an energy of 200 keV in the mode of short-pulse implantation (SPI) with doses of 3-600 MGy on the optical and electrical properties of aluminum nitride films and nanocomposite coatings based on the ternary compound AlSiN deposited by reactive magnetron sputtering on silicon substrates was studied. The energy and kinetic characteristics of the absorption spectra due to formation of radiation defects (RDs) and their simplest complexes, depending on the energy density of the ion beam and on the silicon content in the coatings and on the concentration of existing growth defects before irradiation, were determined. SPI stimulates the partial annealing of unstable RDs and their complexes at the first stage of irradiation at the doses of 3–30 MGy, their redistribution and formation of thermostable defect complexes at the second stage at the doses of 20-600 MGy. The influence of interaction between the energetic states of defects of growth and/or radiation nature localized in the band gap on the depth of property changes was established. The influence of competing processes of accumulation of RDs, their annihilation and formation of complexes from defects varied depending on the dose of ions and beam energy, determining the predominance of radiation or thermal annealing. The minimum concentration of growth defects and/or RDs, regardless of the composition of the coatings, was achieved by irradiation with doses of 10-30 MGy. Radiation sensitivity decreased with increasing of initial absorption of yje unirradiated materials in correlation with the change of the exposure parameters of SPI and the concentration of silicon in coatings. Dose dependences of optical and electrical characteristics, the rate of introduction of RDs and changes in the energy characteristics of the absorption spectra indicated a high radiation resistance of coatings. Radiation resistance of coatings is due to the limiting effect of growth defects having a high concentration on the accumulation of RDs, a wide band gap of nitrides and the interaction of defects through the exchange of charge carriers between their levels. |
| Доп. сведения: | Секция 5. Влияние излучений на структуру и свойства покрытий = Section 5. Radiation Influence on Coatings Structure and Properties |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/233834 |
| ISSN: | 2663-9939 |
| Располагается в коллекциях: | 2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 454-456.pdf | 312,12 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.