Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/233814
Заглавие документа: | Исследование влияния высокотемпературного отжига пленок ITO на их электрофизические свойства |
Другое заглавие: | A Research of the ITO Films High-Temperature Annealing Effect on their Electrophysical Properties / Yu.S. Zhidik, A.A. Chistoedova, E.V. Zhidik, S.V. Smirnov |
Авторы: | Жидик, Ю. С. Чистоедова, А. А. Жидик, Е. В. Смирнов, С. В. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2019 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 386-389. |
Аннотация: | В работе приведены результаты обширных исследований электрофизических пленок ITO, полученных методом реактивного магнетронного распыления мишени из сплава индия и олова в кислородосодержащей атмосфере. Показано, что данные пленки имеют полупроводниковый тип электропроводности и аморфную структуру. При этом последующий отжиг пленок при температуре 600°С способствует образованию кристаллической фазы, увеличению концентрации и подвижности носителей заряда. Все это увеличивает электропроводность пленок на два порядка. Также показано, что высокотемпературный отжиг пленок ITO после их напыления способствует смене типа проводимости, в результате чего пленки ITO проявляют электрофизические свойства металлов. Установлено, что наряду с термоактивационным механизмом проводимости наблюдается прыжковая проводимость по локализованным состояниям в запрещенной зоне. |
Аннотация (на другом языке): | The paper presents the results of extensive studies of ITO electrophysical films obtained by reactive magnetron sputtering of a target made from an alloy of indium and tin in an oxygen-containing atmosphere. It is shown that, immediately after the deposition, these films have a semiconductor type of electrical conductivity and amorphous structure. In this case, the subsequent annealing of the films at a temperature of 600 °C in a nitrogen atmosphere promotes the formation of a crystalline phase. Due to the formation of the crystalline phase, the mobility of charge carriers increases. Also, in the process of annealing, oxygen atoms diffuse from the film volume, thereby increasing the concentration of conduction electrons. All this increases the electrical conductivity of films by magnitude of two orders. It has been shown that high-temperature annealing of ITO films after their deposition promotes a change in the type of conductivity with such a result that ITO films exhibit the electrophysical properties of metals. This is indicated by the measured values of the resistance temperature coefficient, the position of the Fermi level in the conduction band, and the behavior of the temperature dependence of the resistance change. It was established that, along with the thermo-activation mechanism of conduction, there is observed hopping conduction due to localized states in the forbidden zone. As a result, the conductivity of the films increases non-linearly with the increasing frequency of alternating current. These studies are of particular relevance in the development of technology for the formation of coatings based on ITO films, as well as in the application of ITO films in the elemental base of oxide electronics. |
Доп. сведения: | Секция 4. Формирование наноматериалов и наноструктур = Section 4. Formation of Nanomaterials and Nanostructures |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/233814 |
ISSN: | 2663-9939 |
Финансовая поддержка: | Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 18-32-00708. |
Располагается в коллекциях: | 2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
386-389.pdf | 432,09 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.