Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/233807Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-13T10:39:21Z | - |
| dc.date.available | 2019-11-13T10:39:21Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 368-370. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 | |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/233807 | - |
| dc.description | Секция 4. Формирование наноматериалов и наноструктур = Section 4. Formation of Nanomaterials and Nanostructures | |
| dc.description.abstract | «Горячая» имплантация ионов He+ в гетероэпитаксиальные структуры Si/SiSn приводит к самоорганизованному формированию пустот нанометровых размеров. Установлено, что ионное облучение индуцирует вакансии, которые собираются упруго-сжатыми слоями SiSn и преципитатами Sn, предварительно сформированными в слоях кремния. Образование нанопустот сопровождается фазовыми превращениями в преципитатах Sn. Повторная высокотемпературная обработка приводит к удалению нано-пустот и обратному преобразованию фазы Sn. Установлено, что доза имплантированных ионов, а также исходный размер преципитатов существенно влияет на пустоты в преципитатах Sn. Обсуждается влияние упругих деформаций на пространственное разделение точечных дефектов, а также на диффузионное перераспределение вакансий и атомов Sn в области локализации преципитатов олова. | |
| dc.description.sponsorship | Исследования проводились при финансовой поддержке БРФФИ (проект Т18Р-190, № ГР 20181511) и ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника» (№ ГР 20190644). | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Самоорганизация нано-пустот в слоях SiSn при «горячей» ионной имплантации | |
| dc.title.alternative | Self-Assembling of Nano-Voids in SiSn Layers after “Hot” Ion Implantation / Peter Gaiduk | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Nanometer-size voids are registered in Si/SiGe(Sn) heteroepitaxial structures after He + ions implantation in hot conditions. The layers of Si 0.98 Sn 0.02 are grown at 220 °C by molecular beam epitaxy (MBE) on (001)-Si substrates. Decomposition of super-saturated continuous SiSn layers to Sn-precipitates of different size is performed during furnace thermal treatment at 600–900 °C for 20 min. Samples are then implanted with 27 keV He + ions with a dose of 6×10 14 - 2×10 15 cm-2 at 250ºC. Implantation induces vacancies that are collected by elastically compressed SiGe(Sn) layers and by Sn precipitates previously formed in silicon layers. The melting of Sn precipitates in a solid Si matrix strongly increases elastic compressive strain, which causes an influx of vacancies to precipitates and out-diffusion of Sn atoms into the layer. The dose dependence and effect of size on the out-diffision of Sn atoms and the formation of nanovoids in Sn precipitates are investigated. It has been found by TEM that the final stage of the evolution of nanovoids is the formation of cavities with a tin shell of atomic thicknesses on the inner surface. The diffusion of Sn atoms from precipitates into the Si matrix, as well as the formation of voids in Sn precipitates, contributes to the β-α-Sn phase transformation. Strain-enhanced separation of point defects along with vacancy-assisted Sn out-diffusion and precipitate dissolution are discussed. | |
| Располагается в коллекциях: | 2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 368-370.pdf | 440,29 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.