Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/231490
Title: Перераспределение примеси в ионно-легированных слоях при быстрой термообработке подзатворного диэлектрика
Other Titles: Redistribution of impurity in ion-doped layers during fast heat treatment of gate dielectric / V. M. Anishchik, V. A. Harushka, U. A. Pilipenka, V. V. Ponariadov, V. A. Saladukha
Authors: Анищик, В. М.
Горушко, В. А.
Пилипенко, В. А.
Понарядов, В. В.
Солодуха, В. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2019
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Журнал Белорусского государственного университета. Физика = Journal of the Belarusian State University. Physics. - 2019. - № 2. - С. 48-53
Abstract: Введение. Приведены результаты исследования влияния быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на поверхностное сопротивление и глубину залегания ранее сформированных ионно-легированных слоев. Методика эксперимента. На кремниевых пластинах различного типа проводимости формировался подзатворный диэлектрик толщиной 42,5 нм и проводилось легирование кремния ионами бора и фосфора с последующим отжигом в диффузионной печи при температуре 1150 °С в течение 90 –270 мин в среде азота. Далее часть пластин подвергалась быстрой термической обработке путем облучения их нерабочей стороны некогерентным световым потоком в естественных атмосферных условиях в течение 7 с при температуре 1100 °С. Результаты эксперимента и их обсуждение. Установлено, что данная обработка подзатворного диэлектрика, полученного путем пирогенного окисления кремния, приводит к уменьшению величины поверхностного сопротивления ранее сформированных ионно-легированных слоев на 1–2 % и увеличению глубины залегания введенной примеси на 0,05 мкм для фосфора и на 0,02 мкм для бора. Заключение. Уменьшение величины поверхностного сопротивления связано с электрической доактивацией введенной примеси в процессе быстрой термической обработки, а увеличение глубины ее залегания – с удвоением коэффициента диффузии, обусловленным электрическим полем, возникающим под воздействием фотонного потока.
Abstract (in another language): Introduction. The investigation results are shown about influence of the rapid thermal treatment of the gate dielectric for the surface resistance and the location depth of the previously formed ion-doped layers. Experimental methods. On the silicon wafers of the different type of conductivity a gate dielectric was formed with the thickness of 42.5 nm and silicon was doped with the boron and phosphorus ions with the subsequent annealing in the diffusion oven at the temperature of 1150 °С during 90 –270 min in the nitrogen medium. Further, some wafers were subjected to the rapid thermal treatment by means of irradiation of the non-working side with the non-coherent light beam under the natural atmospheric conditions during 7 s at the temperature of 1100 °С. Experimental results and discussion. It was determined, that the given treatment of the gate dielectric, obtained by means of the silicon pyrogenic oxidation, results in reduction of the surface resistance value of the previously formed ion-doped layers by 1–2 % and in increase of the bulk depth of the introduced admixture for 0.05 mm for phosphorus and for 0.02 mm for boron. Conclusion. It was demonstrated, that reduction of the surface resistance value is in correlation with the electric preactivation of the introduced admixture in the rapid thermal treatment, and increase of its bulk depth – with the doubled value of the diffusion ratio, determined by the electric field, occurring under influence of the photon stream.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/231490
ISSN: 2520-2243
Appears in Collections:2019, №2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
48-53.pdf388,48 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.