Взаимодействие нейтронов спектра деления реактора на быстрых нейтронах ибр-2 с полупроводниковыми монокристаллами BN, BP(AIIIBV) и B4C(AIIIBIV)

Abstract

Выполнены расчеты дефектообразования в полупроводниковых монокристаллах В4С (AIIIBIV), BN и BP(AIIIBV) при их облучении в реакторе на быстрых нейтронах ИБР-2 нейтронами спектра деления. Показано, что дефектообразование по механизму упругого рассеяния от продуктов ядерных реакций 4а2 - частиц и ядер отдачи 7Li3+ при захвате тепловых нейтронов ядрами легкого изотопа бора (10B5+) более, чем на два порядка превышает дефектообразование от быстрых нейтронов (E(n) >0,1 МэВ). Расчеты позволяют сделать вывод, что такое облучение позволяет создавать развитую вакаисионную дефектную структуру в борсодержащих полупроводниковых монокристаллах (ППК) при однородном распределении вакансий по объему. Это может оказать важное значение на технологические применения, например, для более эффективной диффузии технологических химических примесей по вакансионному механизму при нанесении их на поверхность или имплантации в поверхность ППК при отжиге.