Численное моделирование динамики лазерно-индуцированных фазовых переходов в GaSb

Abstract

Выполнено моделирование процессов плавления и кристаллизации, инициируемых в антимониде галлия излучением рубинового лазера (Л = 694 нм, т = 80 нс) с учетом процессов испарения с поверхности и диффузии компонентов в расплаве. Показано, что по окончании воздействия импульса рубинового лазера (Е = 1,1 Дж/см^2) обогащение поверхностного слоя галлием составляет ~ 0,515. Расчетное значение пороговой плотности энергии излучения рубинового лазера, при которой происходит плавление GaSb, Е = 0,2 Дж/см^2.