Logo BSU

Просмотр "2008. Материалы и структуры современной электроники" Заглавия

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 48 - 67 из 73 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2008Расчет электрофизических параметров углеродных нанотрубок типа «Armchair»Поздняков, Д. В.; Борздов, В. М.
2008Резонансные свойства ориентированных массивов углеродных нанотрубокБаркалин, В. В.; Жучек, П. А.
2008Рекомбинационные свойства кремния, облученного ионами гелияТарасик, М. И.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А.; Федотов, А. К.; Янченко, А. М.
2008Роль лабораторного практикума в активизации самостоятельной работы студентов на кафедре физики полупроводников и наноэлектроникиЛапчук, Т. М.; Оджаев, В. Б.; Сидоренко, Ю. В.
2008Система для выращивания углеродных нанотрубок методом CVDКарпович, В. Б.; Комаров, Ф. Ф.; Кожевко, А. Н.; Зайков, В. А.
2008Согласование комбинированной двухзонной модели резонансно-туннельного диода с экспериментальными даннымиАбрамов, И. И.; Гончаренко, И. А.; Коломейцева, И. В.
2008Спектроскопические характеристики порошков нитрида литияАзарко, И. И.; Игнатенко, О. В.; Карпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Шемпель, Н. А.; Янковский, О. Н.
2008Сравнительные характеристики кремниевых и алмазных фотоприемников в ультрафиолетовом диапазонеЕрмакова, А. В.; Русецкий, М. С.; Казючиц, Н. М.; Стельмах, Г. Ф.; Сикорский, В. В.; Шуленков, А. С.
2008Структура и фазовый состав тонких пленок SiGe сплавов, полученных методом газофазного осаждения при пониженном давленииЗайков, В. А.; Новиков, А. Г.; Наливайко, О. Ю.; Гайдук, П. И.; Борисевич, В. М.
2008Структура и электрические свойства нанокристаллического карбонитрида титанаЗубович, Г. К.; Урбанович, В. С.; Викторов, И. А.; Krolichka, B.; Jaworska, L.; Klimczyk, P.
2008Структурные и сенсорные свойства слоев SnO2, сформированных магнетронным распылениемПрокопьев, С. Л.; Кожевко, А. И.; Барташевич, С. А.; Гайдук, П. И.
2008Структурные и электрофизические свойства тонких Si(1-x)Ge(x) пленок после имплантации В+ и последующего отжигаГайдук, П. И.; Гринько, С. Н.; Зайков, В. А.; Новиков, А. Г.; Наливайко, О. Ю.; Пшеничный, Е. Н.
2008Токи утечки в p-n-переходах интегральных схем, изготовленных пошаговым методом ионного легированияПлебанович, В. И.; Оджаев, В. Б.; Васильев, Ю. Б.; Явид, В. Ю.; Челядинский, А. Р.
2008Точный расчет согласованных фотонных кристалловКорнейчик, В. В.
2008Управление динамическим диапазоном фотоэлектрических преобразователей на основе полупроводников с глубокими примесямиГусев, О. К.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, И. В.
2008Формирование вакуумно-плотных токопроводов в керамике путем химического осаждения меди из растворовСтепанова, Л. И.; Бодрых, Т. И.
2008Формирование МОП структур с нанокристаллами Ge и их электрофизические свойстваНовиков, А. Г.; Гайдук, П. И.; Зайков, В. А.
2008Формирование сильнолегированных «карманов» КМОП-структур высокоэнергетичной ионной имплантациейБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, О. Н.; Янковский, Ю. Н.
2008Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия монокристаллов GaSeAllakhverdiev, K. R.; Бикбаевас, В.; Гривицкас, В.; Одринский, А. П.; Salaev, Е. Yu.; Тарасик, М. И.; Федотов, А. К.
2008Цифровой емкостный спектрометр СЕ-6Дедович, Н. Н.; Кузьминых, В. А.; Лазарчик, А. Н.; Ломако, В. М.; Пранович, В. И.; Романов, А. Ф.