Моделирование полупроводниковых лазеров на основе CdHgTe: аннотация к дипломной работе / Алексей Сергеевич Бадылевич; БГУ, Факультет радиофизики и компьютерных технологий, Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники; науч. рук. – профессор Афоненко А.А.

Abstract

Объектом исследования является полупроводниковый лазер на основе CdHgTe. Цель дипломной работы - определение наиболее эффективной структуры путем изменения легирования и толщины слоев полупроводникового лазера на основе CdHgTe при инжекционной накачке. Исследованы структуры с одиночной и множественной квантовой ямой, а также со ступенчатым и градиентным волноводом при различном расположении квантовых ям и общей ширине волновода, а также при разных уровнях легирования волновода.