Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/221207
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Бадылевич, Алексей Сергеевич | - |
dc.date.accessioned | 2019-06-13T08:20:15Z | - |
dc.date.available | 2019-06-13T08:20:15Z | - |
dc.date.issued | 2019-06-13 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/221207 | - |
dc.description.abstract | Объектом исследования является полупроводниковый лазер на основе CdHgTe. Цель дипломной работы - определение наиболее эффективной структуры путем изменения легирования и толщины слоев полупроводникового лазера на основе CdHgTe при инжекционной накачке. Исследованы структуры с одиночной и множественной квантовой ямой, а также со ступенчатым и градиентным волноводом при различном расположении квантовых ям и общей ширине волновода, а также при разных уровнях легирования волновода. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Моделирование полупроводниковых лазеров на основе CdHgTe: аннотация к дипломной работе / Алексей Сергеевич Бадылевич; БГУ, Факультет радиофизики и компьютерных технологий, Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники; науч. рук. – профессор Афоненко А.А. | ru |
dc.type | annotation | ru |
Располагается в коллекциях: | Физическая электроника. 2019 |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Бадылевич-РЕФЕРАТ.pdf | 219,98 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.