Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215278| Заглавие документа: | Морфология поверхности и магнитная микроструктура пленок пермаллоя на ситалловой подложке |
| Другое заглавие: | Surface morphology and magnetic microstructure of permalloy films on setal substrate / V. I. Golovchuk, M. G. Lukashevich |
| Авторы: | Головчук, В. И. Лукашевич, М. Г. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 38-41. |
| Аннотация: | Приводятся результаты исследования методами атомно-силовой и магнитно-силовой микроскопии морфологии поверхности и магнитной микроструктуры тонких пленок пермаллоя с магнитным упорядочением, полученных на ситалловой подложке методом ионно-лучевого распыления. Показано, что при толщинах пленок в интервале 80–280 нм шероховатость пленок не более чем в два раза превышает шероховатость подложки, и не превышает 23 нм. Изменение геометрии пленки от диска до прямоугольного параллелепипеда приводит к изменению магнитной микроструктуры от квазисферической до полосковой с перпендикулярной магнитной анизотропией и размерами доменов и доменных стенок около 0,5 мкм. |
| Аннотация (на другом языке): | The results of atomic-and magnetic-fource microscopy of permalloy films prepared by means of ion-beam sputtering into setall substrates are presented. It is shown, that at film thicknesses of 80–280 nm, the roughness of the films is higher than the roughness of the substrate. The change in the geometry of the film from the disk to the rectangular parallelepiped leads to a change in the magnetic microstructure from the quasispherical to the striped with the perpendicular magnetic anisotropy and the dimensions of the domains and domain walls about 0.5 μm. |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215278 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.