Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215265
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСергеенко, В. С.
dc.contributor.authorДанилюк, А. Л.
dc.date.accessioned2019-02-21T13:28:24Z-
dc.date.available2019-02-21T13:28:24Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 335-338.
dc.identifier.isbn978-985-566-671-5
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/215265-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractВ данной работе рассмотрены закономерности магнетосопротивления спиновых вентилей, содержащих антиферромагнитные слои. Проведенное моделирование показало, что эффект обменного смещения между антиферромагнитным и ферромагнитным слоями может приводить к росту величины магнитосопротивления почти в три раза.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleВлияние обменного смещения на магнитосопротивленние спинового вентиля
dc.title.alternativeInfluence of biasing exchange on magnetic resistance spin valve / V. S. Sergeenko, A. L. Danilyuk
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe magnetoresistance laws of spin valves, which contain antiferromagnetic layers, have been considered in this paper. The simulation showed that the effect of bias exchange between the antiferromagnetic and ferromagnetic layers could lead to an increase of the magnetoresistance by almost three times.
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
335-338.pdf388,54 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.