Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215261
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМухаммад, А. И.
dc.contributor.authorЛобанок, М. В.
dc.contributor.authorЧиж, К. В.
dc.contributor.authorЮрьев, В. А.
dc.contributor.authorГайдук, П. И.
dc.date.accessioned2019-02-21T13:28:23Z-
dc.date.available2019-02-21T13:28:23Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 318-322.
dc.identifier.isbn978-985-566-671-5
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/215261-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractТеоретически смоделированы спектры поглощения многослойных структур на основе кремния с структурированным верхним слоем. Проведено сравнение спектров для структур с различными периодами. Установлено, что широкая полоса поглощения достигается суммированием нескольких режимов плазмонного резонанса. Это позволяет менять ширину и расположение полосы поглощения, изменяя параметры верхнего слоя. Поверхностный структурированный слой кремния может быть изготовлен с использованием стандартной оптической литографии, что позволяет экономически выгодно изготавливать данные микроструктуры.
dc.description.sponsorshipИсследования проводились при финансовой поддержке БРФФИ в рамках проекта № Т18Р-190, а также проекта ГПНИ (№ Г/Р 20162098).
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleМоделирование локализованных плазмонов в периодических многослойных структурах на основе кремния
dc.title.alternativeModeling of localized plasmons in periodic silicon-based multilayer structures / A. I. Mukhammad, M. V. Lobanok, K. V. Chizh, V. A. Yuryev, P. I. Gaiduk
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeAbsorption spectra of silicon-based multilayer structures with a structured top layer are theoretically simulated. Spectra for structures with different periods are compared. It is found that the wide absorption band is achieved by summing several modes of plasmon resonance. This allows you to change the width and location of the absorption band by changing the parameters of the top layer. The surface structured layer of silicon can be manufactured using standard optical lithography, which makes it cost-effective to produce these microstructures.
Располагается в коллекциях:2018. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
318-322.pdf424,71 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.