Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215251
Заглавие документа: Влияние магнитного поля на электронную структуру приповерхностной электрически индуцированной квантовой точки
Другое заглавие: Effect of magnetic field on electronic structure of near-surface electrically induced quantum dot / Е. А. Levchuk
Авторы: Левчук, Е. А.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2018
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 280-285.
Аннотация: Проведено численное моделирование электронной структуры квантовой точки, индуцированной электрическим полем дискообразного затвора и находящейся во внешнем магнитном поле. На основании модели анизотропного гармонического осциллятора предложена классификация электронных состояний электрически индуцированной квантовой точки и описана их эволюция при изменении величины магнитного поля. Изучены условия возникновения групп близких уровней энергий (электронных оболочек) при изменении потенциала затвора.
Аннотация (на другом языке): Numerical modeling of excited states in a quantum dot, induced by electrical field of disc-shaped gate, is carried out in the presence of magnetic field. On the basis of anisotropic harmonic oscillator model, classification for electronic states of electrically induced quantum dot is given and its evolution in gate potential and magnetic field is described. The conditions of emergence of close energy levels (electronic shells) are studied for different gate potentials.
Доп. сведения: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215251
ISBN: 978-985-566-671-5
Располагается в коллекциях:2018. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
280-285.pdf396,68 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



PlumX

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.