Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2018. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215241
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЖевняк, О. Г.
dc.contributor.authorЖевняк, Я. О.
dc.date.accessioned2019-02-21T13:28:20Z-
dc.date.available2019-02-21T13:28:20Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 239-243.
dc.identifier.isbn978-985-566-671-5
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/215241-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractС помощью моделирования электронного переноса в короткоканальных МОП-транзисторах методом Монте-Карло рассмотрено влияние глубины залегания истоковой и стоковой областей, а также напряжения на стоке на формирование низкоразмерного электронного газа в такого рода транзисторах. Показано, что для большинства рассмотренных случаев данный газ не формируется, так как потенциальная яма у поверхности кремния оказывается слишком широкой.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleМоделирование влияния истока и стока на квантование энергии электронов в короткоканальных МОП-транзисторах
dc.title.alternativeSimulation of source and drain effect on electron energy quantization in short-channel MOSFETs / O. G. Zhevnyak, Ya. O. Zhevnyak
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe effect of source and drain region as well as drain bias on formation of low-dimensional electron gas in short-channel MOSFETs is studied by using Monte Carlo simulation of electron transport. It is shown that such gas is not formed for many considered cases because the potential well is too wide at silicon surface.
Располагается в коллекциях:2018. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
239-243.pdf359,96 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.