Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2018. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215231
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorХарченко, А. А.
dc.contributor.authorБринкевич, Д. И.
dc.contributor.authorВабищевич, С. А.
dc.contributor.authorПросолович, В. С.
dc.contributor.authorОджаев, В. Б.
dc.contributor.authorЯнковский, Ю. Н.
dc.date.accessioned2019-02-21T13:28:18Z-
dc.date.available2019-02-21T13:28:18Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 200-204.
dc.identifier.isbn978-985-566-671-5
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/215231-
dc.descriptionДефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
dc.description.abstractМетодом измерения спектров отражения исследованы имплантированные ионами сурьмы пленки позитивного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Показано, что имплантация приводит к уменьшению показателя преломления фоторезиста, обусловленному радиационным сшиванием молекул новолачной смолы, а также снижением молекулярной рефракции и плотности фоторезиста. В области непрозрачности фоторезистивной пленки имеет место рост коэффициента отражения при увеличении дозы имплантации.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleТрансформация спектров отражения диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионов сурьмы
dc.title.alternativeReflectance spectra transformation of diazoquinone-novolac photoresist at antimony ions implantation / A. A. Kharchenko, D. I. Brinkevich, S. A. Vabischevich, V. S. Prosolovich, V. B. Odzaev, Yu. N. Yankovski
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeFP9120 positive photoresist 1,8μm films, deposited on silicon wafers surface by centrifugation method and later implanted by antimony ions were studied by the measuring of reflectance spectra. It was shown that, implantation leads to the decrease of photoresist refractive index caused by the radiation linkage of novolac resin, as well as the decrease of molecular refraction and photoresist density. In the opacity area of photoresist film reflectance coefficient growth was observed at the increase of implantation dose.
Располагается в коллекциях:2018. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
200-204.pdf388,56 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.