Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215222
Title: Инженерия кислородосодержащих центров в кремнии: радиационно-индуцированные трансформации вакансионно-кислородных комплексов VO2, V2O2 и V3O2
Other Titles: Ingeneering of oxygen-related centres in silicon: radiation-induced transformations of vacancy-oxygen complexes VO2, V2O2 and V3O2 / L. I. Murin, E. A. Tolkacheva, S. B. Lastovskii, V. P. Markevich
Authors: Мурин, Л. И.
Толкачева, Е. А.
Маркевич, С. Б.
Ластовский, В. П.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2018
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 167-171.
Abstract: Двухступенчатое электронное облучение использовано для инженерии кислородосодержащих дефектов в кремнии, полученном методом Чохральского (Cz-Si). Сначала образцы Cz-Si облучали при комнатной температуре электронами с энергией 2,5 МэВ и подвергали термообработке при 320 °C в течение 30 часов для отжига центров VO, V2O и V3O и генерации комплексов VO2, V2O2 и V3O2 в качестве доминирующих вакансионно-кислородных центров. Затем образцы снова облучали при комнатной температуре. Эволюция дефектов в результате обработок контролировалась методом спектроскопии локальных колебательных мод (ЛКМ). Спектры ИК поглощения измерялись на Фурье спектрометре при 20 K и 300 K. Из анализа изменений интенсивности ЛКМ линий обнаружено, что второе облучение приводит к заметному уменьшению концентраций комплексов VO2, V2O2 и V3O3 и к существенному росту концентраций кислородного димера и дефекта VO2 *.
Abstract (in another language): Two stage electron irradiation has been used for oxygen-related defect engineering in Czochralski-grown silicon (Cz-Si). First, the Cz-Si samples were irradiated at room temperature with 2.5 MeV electrons and then heat-treated at 320 ºC for 30 hours to anneal out the VO, V2O and V3O centers and generate the VO2 , V2O2 and V3O2 complexes as dominant vacancy-oxygen related defects. Subsequently, the samples were irradiated at room temperature again. Defect evolution upon the treatments was monitored by means of the local vibrational mode (LVM) spectroscopy. The FT-IR spectra were recorded with the samples being at 20 K and 300 K. From an analysis of changes in intensity of the LVM lines it has been revealed that the second irradiation results in a noticeable decrease in the concentrations of VO2, V2O2 and V3O2 complexes and an essential growth in the concentrations of oxygen dimer and the so-called VO2 * defect.
Description: Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215222
ISBN: 978-985-566-671-5
Sponsorship: Работа выполнена при частичной финансовой поддержке БРФФИ (проект Ф17МС-022).
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
167-171.pdf530,72 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.