Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215215
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Gusakova, J. V. | |
dc.contributor.author | Gusakov, V. E. | |
dc.contributor.author | Tay, B. K. | |
dc.date.accessioned | 2019-02-21T13:28:16Z | - |
dc.date.available | 2019-02-21T13:28:16Z | - |
dc.date.issued | 2018 | |
dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 137-141. | |
dc.identifier.isbn | 978-985-566-671-5 | |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215215 | - |
dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
dc.description.abstract | The study of formation and diffusion of point defects in bulk and monolayer MoS2 is presented. First the formation of a split Frenkel pair was calculated. The formation energy of the split Frenkel pair in monolayer MoS2 is 5.79 eV PZ LDA (5.58 eV PBE GGA) and in bulk MoS2 is 8.43 eV PZ LDA (8.14 eV PBE GGA). The calculated diffusion barrier of a single chalcogen vacancy (V S1) in both monolayer and bulk MoS2 equals to 0.21 eV. The study of electronic properties of V S1 and I S1 in monolayer shows that both defects introduce energy states into the band gap of MoS2 monolayer. The defect levels were calculated using GVJ-2e method and equals to 1.84 eV for V S1 and 1.80 eV for I S1, from the v-band maximum. | |
dc.language.iso | en | |
dc.publisher | Минск : БГУ | |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
dc.title | First principles study of point defects in bulk and monolayer molybdenum disulfide | |
dc.type | conference paper | |
Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
137-141.pdf | 383,54 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.