Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215211| Заглавие документа: | Автоэлектронная эмиссия из кремниевых лезвий |
| Другое заглавие: | Field emission from silicon blades / А. G. Trafimenko, А. L. Danilyuk |
| Авторы: | Трафименко, А. Г. Данилюк, А. Л. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 122-128. |
| Аннотация: | Получены закономерности влияния размеров кремниевого лезвия на коэффициент усиления напряженности электрического поля и падение напряжения в катодном узле при фиксированной плотности эмиссионного тока. Проанализированы причины возникновения трех характерных областей изменения напряжения с ростом зазора между вершиной лезвия и анодом, связанные с распределением напряженности электрического поля. Моделирование влияния расстояния между лезвиями на плотность тока автоэлектронной эмиссии показало наличие сдвига максимума плотности тока с ростом падения напряжения. |
| Аннотация (на другом языке): | The regularities of the influence of the silicon blade dimensions on the amplification coefficient of the electric field strength and the voltage drop in the cathode node at a fixed emission current density are obtained. The causes of the appearance of three characteristic regions of the voltage change with increase of the gap between the blade tip and the anode, associated with the distribution of the electric field strength, are analyzed. Modeling the influence of the distance between the blades on the current density of field emission showed the presence of a shift of the current density maximum with the voltage dropin-crease. |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215211 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 122-128.pdf | 513,78 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.