Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215202Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Муравьев, В. В. | |
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | |
| dc.date.accessioned | 2019-02-21T13:28:13Z | - |
| dc.date.available | 2019-02-21T13:28:13Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 82-85. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-566-671-5 | |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215202 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | С использованием метода Монте-Карло разработана программа для анализа трехмерной полупроводниковой структуры, в которой использовался одиночный слоя графена, размещенный на подложке из карбида кремния. Получены основные характеристики полевого транзистора – зависимости выходного тока стока от величины постоянного напряжения на затворе, а также зависимости выходного тока стока от величины постоянного напряжения на стоке. Показана перспективность использования графена в конструкциях полупроводниковых приборов диапазонов СВЧ и КВЧ. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Влияние одиночного слоя графена на характеристики полевого транзистора | |
| dc.title.alternative | The influence of the single layer of graphen on the characteristics of the field transistor / V. V. Muravyev, V. N. Mishchenka | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Using the Monte Carlo method, a program was developed for the analysis of a three-dimensional semiconductor structure, in which a single layer of graphene placed on a silicon carbide substrate was used. The main characteristics of field transistor are obtained: the dependence of the output current of the drain on the value of the constant voltage on the gate, and also the dependence of the output current of the drain on the value of the constant voltage on the drain. The prospects of using graphene in the designs of semiconductor devices for microwave and EHF ranges are shown. | |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.