Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215202
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМуравьев, В. В.
dc.contributor.authorМищенко, В. Н.
dc.date.accessioned2019-02-21T13:28:13Z-
dc.date.available2019-02-21T13:28:13Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 82-85.
dc.identifier.isbn978-985-566-671-5
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/215202-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractС использованием метода Монте-Карло разработана программа для анализа трехмерной полупроводниковой структуры, в которой использовался одиночный слоя графена, размещенный на подложке из карбида кремния. Получены основные характеристики полевого транзистора – зависимости выходного тока стока от величины постоянного напряжения на затворе, а также зависимости выходного тока стока от величины постоянного напряжения на стоке. Показана перспективность использования графена в конструкциях полупроводниковых приборов диапазонов СВЧ и КВЧ.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleВлияние одиночного слоя графена на характеристики полевого транзистора
dc.title.alternativeThe influence of the single layer of graphen on the characteristics of the field transistor / V. V. Muravyev, V. N. Mishchenka
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeUsing the Monte Carlo method, a program was developed for the analysis of a three-dimensional semiconductor structure, in which a single layer of graphene placed on a silicon carbide substrate was used. The main characteristics of field transistor are obtained: the dependence of the output current of the drain on the value of the constant voltage on the gate, and also the dependence of the output current of the drain on the value of the constant voltage on the drain. The prospects of using graphene in the designs of semiconductor devices for microwave and EHF ranges are shown.
Располагается в коллекциях:2018. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
82-85.pdf476,01 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.