Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215201
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorKorzun, B.
dc.contributor.authorGalyas, A.
dc.contributor.authorSobol, V.
dc.date.accessioned2019-02-21T13:28:13Z-
dc.date.available2019-02-21T13:28:13Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 9-12.
dc.identifier.isbn978-985-566-671-5
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/215201-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractThin films of chalcopyrite CuFeS 2 were deposited on glass substrates by a flash method. The resulting film structure was analyzed by means of scanning electron microscopy combined with energy dispersive X-ray spectroscopy. It was detected that thin films consist of separate grains with the approximately equal areas of about (200–400) μm 2 . Thin films of chalcopyrite CuFeS 2 have the chemical composition with the atomic content of Cu, Fe, and S of 25.22, 23.38, and 51.40 at. % and the atomic ratios of Cu/Fe and S/(Cu + Fe) equaling to 1.08 and 1.06 respectively that slightly differs from the theoretical values equaling to 1 for both atomic ratios. The small inclusion of the second phase with the chemical composition with the atomic content of Cu, Fe, and S of 29.24, 25.24, and 45.52 at. % was detected and can be attributed to talnakhite Cu 9 Fe 8 S 16 . The most common occurrence of the inclusion of the second phase along the borders of the grain shows that they are responsible for the cracking of thin films.
dc.description.sponsorshipOne of the authors (Dr. Barys Korzun) would like to thank PSC-CUNY for financial support of the studies under the projects TRADA-48-527 and TRADA-49-552.
dc.language.isoen
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleMorphology and chemical composition of films of chalcopyrite
dc.typeconference paper
Располагается в коллекциях:2018. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
9-12.pdf803,73 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.