Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215197
Заглавие документа: | Влияние переменного магнитного поля на оптическую плотность воды, используемую в технологии микроэлектроники |
Другое заглавие: | The influence of alternating magnetic field on the optical density of the water, wich is using in microelectronics technology / V. V. Lukyanitsa |
Авторы: | Лукьяница, В. В. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2018 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 66-69. |
Аннотация: | Установлено, что наблюдаемые на эксперименте изменения оптической плотности (D) дистиллированной воды чувствительны к дозе (времени) воздействия переменного магнитного поля (МП) и длине волны диагностирующего света (300 нм–700 нм). Эти дозовые и спектральные зависимости изменений D имеют немонотонный характер и интерпретированы изменением структуры воды при образовании и перестройках молекулярных кластеров под действием МП. |
Аннотация (на другом языке): | It was found that the observed changes in the optical density (D) of distilled water are sensitive to the dose (time) of the alternating magnetic field (MF) and the wavelength of the diagnostic light (300 nm–700 nm). The non-monotonic dose and spectral dependences of D changes are interpreted by changes in the structure of water during the formation and rearrangement of molecular clusters under the action of MF. |
Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215197 |
ISBN: | 978-985-566-671-5 |
Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.