Logo BSU

Просмотр "2018. Материалы и структуры современной электроники" Заглавия

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 7 - 26 из 94 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2018The influence of power density of explosive charges on the detonation nanodiamonds yieldDolmatov, V. Yu.
2018Towards the understanding of the mechanism of dc protonic conduction in graphene oxidePoklonski, N. A.; Samuilov, V. A.
2018Автоматизированный метод распознавания наночастиц алюминия, осажденных в вакууме на кремниевые подложкиГончаров, В. К.; Пехота, А. А.; Пузырев, М. В.; Ступакевич, В. Ю.
2018Автоэлектронная эмиссия из кремниевых лезвийТрафименко, А. Г.; Данилюк, А. Л.
2018Взаимодействие индотрикарбоцианинового красителя с наноалмазами детонационного синтеза в водных средахБелько, Н. В.; Самцов, М. П.; Гусаков, Г. А.; Луговский, А. А.; Пархоменко, В. А.; Воропай, Е. С.
2018Влияние буферного слоя пористого кремния на рост карбида кремния на кремниевой подложкеЛобанок, М. В.; Прокопьев, С. Л.; Новиков, А. Г.; Мильчанин, О. В.; Долгий, А. Л.; Бондаренко, В. П.; Гайдук, П. И.
2018Влияние легирования бором на термоделокализацию носителей заряда в сегнетоэлектрике - полупроводнике TlInS2Одринский, А. П.; Seyidov, M. H. Yu.; Наджафов, А. И.; Aliyeva, V. B.
2018Влияние магнитного поля на электронную структуру приповерхностной электрически индуцированной квантовой точкиЛевчук, Е. А.
2018Влияние морфологии на стабильность наношнуров арсенида галлияХоляво, И. И.; Хомец, А. Л.; Сафронов, И. В.; Мигас, Д. Б.
2018Влияние морфологии на стабильность наношнуров кремния и германияСамусевич, И. С.; Шохонов, Д. А.; Сафронов, И. В.; Мигас, Д. Б.
2018Влияние обменного смещения на магнитосопротивленние спинового вентиляСергеенко, В. С.; Данилюк, А. Л.
2018Влияние объемных заместителей на способность генерации синглетного кислорода индотрикарбоцианиновыми красителямиТарасов, Д. С.; Самцов, М. П.; Луговский, А. А.; Сташевский, А. С.
2018Влияние одиночного слоя графена на характеристики полевого транзистораМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2018Влияние переменного магнитного поля на оптическую плотность воды, используемую в технологии микроэлектроникиЛукьяница, В. В.
2018Влияние состава ростовой шихты на содержание фоновых примесей в монокристаллах синтетического алмазаГусаков, Г. А.; Шаронов, Г. В.
2018Влияние структуры знаков совмещения на их «читаемость» после эпитаксиального наращивания кремнияНаливайко, О. Ю.; Бахматова, Н. А.; Ковальчук, Н. C.; Турцевич, А. С.; Ратино, А. К.
2018Влияние температуры облучения (Тобл = 80–700 К) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов в кремнии p-типаМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Фадеева, Е. А.
2018Влияние формы канала на процессы образования AlN при воздействии на алюминиевую мишень сериями сдвоенных лазерных импульсовБаззал, Х.; Воропай, Е. С.; Зажогин, А. П.; Лычковский, В. В.
2018Влияние электрического поля наноразмерного затвора на обменное взаимодействие в системе пар доноров и квантовых точекЛевчук, Е. А.; Максимов, М. С.; Макаренко, Л. Ф.
2018Возможность использования наноалмаза детонационного синтеза в качестве стабильного эталона в ЭПР спектроскопииОлешкевич, А. Н.; Долматов, В. Ю.; Нгуен Тхи Тхань Бинь; Мунгцецег, С.; Шилагарди, Г.; Лапчук, Н. М.; Лапчук, Т. М.