Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/214779
Заглавие документа: | Модификация двумерных наноструктур на подложках при ионном облучении («Ионы – 2D-материалы») : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель М. С. Тиванов |
Авторы: | Тиванов, М. С. Королик, О. В. Колесов, Е. А. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Математика ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Механика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Энергетика |
Дата публикации: | 2018 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Аннотация: | Объектом исследования являлись графен, выращенный на медных подложках или перенесенный на них, а также численные модели подложек Cu, SiO2, SiC и Al2O3; предметом исследования – спектры комбинационного рассеяния света (КРС) графена на медных подложках, а также процессы дефектообразования при ионном облучении двумерных материалов за счет распыления подложки, достигающих интерфейса атомов отдачи подложки и генерируемых в подложке вблизи интерфейса горячих электронов. Цель работы - установление структурных свойств графена, выращенного на медных подложках или перенесенного на них, методом спектроскопии КРС; сравнение вкладов в дефектообразование в двумерных материалах при их ионном облучении распыления подложки, достигающих интерфейса атомов отдачи подложки и генерируемых в подложке вблизи интерфейса горячих электронов. В результате с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния света обнаружено, что механические напряжения для выращенного на меди графена повышены, в то время как в перенесенном на медь графене они пренебрежимо малы, что связано с наличием остаточных эффектов синтеза в случае выращенного графена, которые удаляются после переноса; с помощью моделирования методом Монте-Карло проведена оценка роли подложек Cu, SiO2, SiC и Al2O3 в дефектообразовании в двумерных материалах при облучении ионами He, Ar, Xe, C, N и Si в диапазоне энергий налетающих ионов от 100 эВ до 250 МэВ; показано, что подложка активно участвует в данном процессе за счет ее распыления, достигающих интерфейса с ненулевой энергией атомов отдачи подложки и сгенерированных в подложке в непосредственной близости от интерфейса горячих электронов, причем вклады данных процессов не являются пренебрежимо малыми с учетом энергий дефектообразования в наиболее распространенных двумерных материалах; для налетающих ионов рассчитаны интервалы энергий, в которых активно происходит имплантация распыленных атомов подложки в кристаллическую решетку двумерного материала. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/214779 |
Регистрационный номер: | № госрегистрации 20181938 |
Располагается в коллекциях: | Отчеты 2018 |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Отчет 20181938 Тиванов.doc | 3,6 MB | Microsoft Word | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.