Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/214500
Заглавие документа: | Разработать и исследовать физико-технологические режимы роста тонких и сверхтонких слоев SiC на кремниевых пластинах для перспективных приборных структур микро- и оптоэлектроники : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель П. И. Гайдук |
Авторы: | Гайдук, П. И. Прокопьев, С. Л. Ивлев, Г. Д. Новиков, А. Г. Лобанок, М. В. Мухаммад, А. И. Батулев, А. А. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Химическая технология. Химическая промышленность ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Механика |
Дата публикации: | 2018 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Аннотация: | Объект исследования - гетероэпитаксиальные структуры SiC/Si, SiC/SiGe/Si, выращенные в условиях вакуумной высокотемпературной обработки в присутствии углеводородных паров с применением буферных слоев упруго-деформированных SiGe сплавов, нано-профилированных поверхностей или слоев пористого кремния. Цели НИР - установление физических закономерностей эпитаксиального роста слоев SiC на подложках кремния c буферными слоями SiGe в условиях высокого вакуума в зависимости от параметров процесса и в присутствии углеводородных паров; разработка технологических режимов выращивания гетероструктур SiC/Si. Основные методы исследований: просвечивающая электронная микроскопия, растровая электронная микроскопия, Резерфордовское обратное рассеяние, комбинационное рассеяние света. Использовались следующие приборы: электронные микроскопы ЭМ-125, Philips CM-20, LEO- 1455VP, ускоритель ионов AN2500, микрорамановский спектрометр Nanofinder High End (Lotis TII), лазерный комплекс «Прометей», высокотемпературные печи и др. В результате выполнения созданы режимы выращивания тонких и сверхтонких слоев карбида кремния на кремниевых подложках: - с использованием молекулярно-лучевой эпитаксии буферных слоев напряженных Si1-xGex сплавов различного состава (x = 0 – 0,23) и последующего электронно-лучевого испарения углерода на подложку SiGe/Si; - путем вы- сокотемпературной карбидизации (ВК) образцов кремния с буферными профилированными слоями в углеродсодержащей вакуумной атмосфере при 950 – 1250 ºС; - путем имплантации углерода (150 кэВ, 1016 см-2, 550 ºС) в многослойные эпитаксиальные структуры SiGe/Si. Методами ПЭМ показано формирование эпитаксиальных слоев кубического карбида кремния, качество которых улучшается при использовании буферных слоев. Так, использование буферных SiGe слоев на границе раздела Si/SiC позволяет уменьшать плотность скрученных вдоль нормали к поверхности микродвойников, улучшать кристаллическое качество слоев SiC, в три раза увеличивать интенсивность пиков XRD, а также уменьшать на ~50 % шероховатость поверхности. Полученные результаты научных исследований и разработанные технологические режимы выращивания сверхтонких слоев SiC на кремниевых подложках с различными буферными слоями Si1-xGex/Si могут быть использованы для проведения дальнейших исследований по разработке режимов формирования гетероэпитаксиальных структур SiС/Si на пластинах кремния диаметром 100 мм как базисных подложках для приборов электроники на основе карбида кремния и нитрида галлия. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/214500 |
Регистрационный номер: | № госрегистрации 20162098 |
Располагается в коллекциях: | Отчеты 2018 |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Отчет 20162098 Гайдук.pdf | 6,36 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.