Выращивание тонких пленок гетероэпитаксиального карбида кремния на кремниевых пластинах с буферными слоями различного состава : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель П. И. Гайдук

Abstract

Объектом исследования являлись эпитаксиальные слои SiC, выращенные при высокотемпературном отжиге в вакууме. Цель работы – формирование тонких эпитаксиальных слоев SiC на кремниевых подложках с буферными слоями на основе кремний-германиевых сплавов методом высокотемпературной карбидизации. Развиты методики формирования гетероструктуры SiC на профилированной структуре на основе кремний-германиевых сплавов методом высокотемпературной обработки в вакууме. Исследование основывается на использовании методов резерфордовского обратного рассеяния, просвечивающей электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света для определения состава, структуры и свойств материалов. В результате исследованы образцы карбида кремния, выращенного на кремниевых подложках с буферными слоями; методами электронной микроскопии и электронной дифракции обнаружено формирование слоев кубического карбида кремния в виде двухфазной системы (моно- и поликристаллической фазы). Анализ дифракционных картин выявил преобладание поликристаллической фазы на образцах, изготовленных на профилированных подложках. Анализ спектров комбинационного рассеяния (КРС) показал, что изготовленные на буферных слоях на основе кремний-германиевых сплавов образцы содержат две фазы карбида кремния, которые представляют собой политипы 3C и 6H. Область применения. Результаты, полученные при выполнении работы, могут быть использованы при проведении НИР и НИОКР, связанных с разработкой светоизлучающих и фотоприёмных устройств, приборов силовой и СВЧ-электроники.