Анализ упругих напряжений в облученных высокоэнергетическими ионами алмазах : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Н. М. Казючиц

Abstract

Объектом исследования являются синтетические и природные алмазы. Цель НИР - исследование распределения упругих напряжений в алмазах после облучения. Основные методы исследований: спектроскопия поглощения и спектроскопия комбинационного рассеивания. В процессе работы использовались приборы: - ИК-Фурье спектрометр Vertex 70, - спектрометр Cary300 Bio, - микрорамановский спектрометр Nanofinder High End (LOTIS TII Tokyo Instruments), - ускоритель ионов ИЦ-100, ЛЯР Объединенный институт ядерных исследований, г. Дубна, Московской области. В ходе выполнения подготовлены и исследованы исходные образцы природного и синтетического алмаза; проведено облучение быстрыми тяжелыми ионами Xe в диапазоне флюенсов 1010÷1013 см-2; приготовлены полированные поперечные сколы и исследованы облученные быстрыми тяжелыми ионами образцы алмаза. В результате установлены следующие основные закономерности: – распределения наведенных облучением интенсивности широкой полосы ФЛ, основной линии КРС 1332 см-1, линии КРС 1635 см-1, вакансионного центра ФЛ GR1 заканчиваются в окрестности проекционного пробега и являются индикаторами траектории быстрых ионов; – распределение азотсодержащих центров ФЛ заканчивается на глубине меньшей, чем проекционный пробег, и связано с тушением ФЛ наведенными облучением дефектами структуры; – интенсивность и ширина основной линии КРС 1332 см-1 отражает количество наведенных облучением дефектов структуры и может служить индикатором их распределения.