Оптические характеристики исходных и ионноимплантированных синтетических алмазов : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель А. В. Мазаник

Abstract

Объектом исследования являлись пластины синтетических CVD и HPHT алмазов, предметом исследования – их оптические и фотоэлектрические свойства. Цель НИР заключалась в установлении корреляций между методом синтеза, дефектно-примесным составом и фотопроводимостью синтетических алмазов, выращенных методами HPHT и CVD. В результате выполнения работы методами спектроскопии поглощения в ИК- и УФ-видимой областях, а также картирования катодо- и фотолюминесценции оценена степень однородности исследованных синтетических алмазов, которая максимальна для образцов, выращенных методом CVD. Методом катодолюминесценции установлено, что наибольшее отношение интенсивности экситонной полосы (235,3 нм) к интенсивности дефектно-примесных полос характерно для CVD алмаза электронного качества, что указывает на минимальное содержание в нем дефектов и примесей и коррелирует с максимальной величиной фотопроводимости в области собственного поглощения. Напротив, максимальная фотопроводимость вне области собственно поглощения (длины волн 355 и 532 нм) наблюдается для алмазов, синтезированных методом HPHT. Полученные результаты могут быть использованы для создания фотоприемных устройств на основе алмаза.