Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/212459
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Федотов, А. К. | - |
dc.contributor.author | Федотов, А. С. | - |
dc.contributor.author | Свито, И. А. | - |
dc.contributor.author | Лопатов, Г. Я. | - |
dc.contributor.author | Тарасик, М. И. | - |
dc.date.accessioned | 2019-01-11T06:20:05Z | - |
dc.date.available | 2019-01-11T06:20:05Z | - |
dc.date.issued | 2016 | - |
dc.identifier.other | № госрегистрации 20163469 | ru |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/212459 | - |
dc.description.abstract | Объектом НИР являются дельта-слои сурьмы в кремнии. Цель работы – исследование влияния температуры, магнитного поля и флюенса облучения быстрыми тяжелыми ионами (БТИ) на электрофизические характеристики дельта-слоев. Основные методы исследования: вольт-амперные характеристики (ВАХ), температурные зависимости электропроводности, магниторезистивный эффект. В результате исследования влияния облучения быстрыми тяжелыми ионами на магнитотранспорт в дельта-слое сурьмы в кремнии при температурах ниже 50 К обнаружен переход от экспоненциальной температурной зависимости электросопротивления, до облучения БТИ, к степенной - после облучения. Последнее указывает на то, что при температурах ниже 50 К транспорт носителей заряда, в основном, осуществляется через дельта-слой. При этих же температурах наблюдается переход от положительного к отрицательному магнетосопротивлению при охлаждении образца, что указывает на двумерный (2D) характер проводимости в режиме слабой локализации. На основе проведенных исследований показано, что температурная зависимость длины Таулесcа имеет вид LTH(T) = A×Tp (где параметры р и А зависят от механизма рассеяния), а сама величина LTH снижается после облучения БТИ на 25-30 %. Обнаружено, что экспериментально определенные значения параметра р близки к теоретической величине р = 1, что подтверждает реализацию режима слабой 2D локализации в транспорте носителей заряда в исследованном образце. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Управление электрофизическими свойствами полупроводниковых материалов и структур с помощью ионно-трековой технологии : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель А. К. Федотов | ru |
dc.type | report | ru |
Располагается в коллекциях: | Отчеты 2016 |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Отчет 20163469 Федотов.doc | 8,23 MB | Microsoft Word | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.