Моделирование токовых флуктуаций в полупроводниковых наноструктурах. По заданию 2.2.06 «Разработка моделей для расчета и исследования квантоворазмерных наноструктур». ГПНИ «Функциональные и композиционные материалы, наноматериалы» : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. М. Борздов

Abstract

Объект исследования – полупроводниковые наноразмерные приборные структуры. Цель работы – моделирование токовых флуктуаций в полупроводниковых наноструктурах. В результате проведенных исследований разработаны физико-математические и численные модели, алгоритмы и программы, позволяющие рассчитывать ток и его флуктуации в различных наноразмерных полупроводниковых структурах. Рассчитаны основные электрофизические параметры и электрические характеристики полупроводниковых структур на основе кремниевых квантовых проволок, а также глубокосубмикронных диодных и транзисторных приборных структур. Рассчитаны флуктуации тока и шумовые характеристики таких структур. Полученные результаты могут быть использованы при проектировании современных полупроводниковых приборов микро- и наноэлектроники.