«Разработка физико-математических моделей и программного обеспечения для моделирования электрофизических свойств n-канальных субмикронных МОП-транзисторов», по заданию 1.1.16 «Разработка физико-математических моделей и программного обеспечения для моделирования процессов низкоэнергетической ионной имплантации, термообработки кремниевых структур и электрофизических свойств n-канальных субмикронных МОП-транзисторов». ГПНИ «Электроника и фотоника» : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. М. Борздов

Abstract

Объект исследования – субмикронный n-канальный МОП-транзистор. Цель НИР – разработка оригинальных физико-математических моделей переноса и рассеяния носителей заряда в глубокосубмикронных полевых n-канальных МОП-транзисторах, а также алгоритмов и программных средств для расчета электрофизических параметров и электрических характеристик таких транзисторов. В результате проведенных исследований разработаны оригинальные физико-математические модели переноса и рассеяния носителей заряда в глубокосубмикронных полевых n-канальных МОП-транзисторах, а также алгоритмы и программный комплекс для расчета электрофизических параметров и электрических характеристик этих приборов. С помощью разработанного программного комплекса рассчитаны электрические характеристики субмикронных n-канальных МОП-транзисторов в различных режимах работы, а также исследовано влияние на эти характеристики некоторых важных физических процессов, в частности, процесса ударной ионизации. Полученные результаты могут быть использованы при проектировании и производстве интегральных субмикронных n-канальных МОП-транзисторов.