Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/211335Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Жавнерчик, Виталий Валерьевич | - |
| dc.contributor.author | Борздов, Владимир Михайлович | - |
| dc.contributor.author | Галенчик, Вадим Освальдович | - |
| dc.date.accessioned | 2018-12-19T07:21:29Z | - |
| dc.date.available | 2018-12-19T07:21:29Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2003. - № 3. – С. 39-43. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/211335 | - |
| dc.description.abstract | The self-consistent solution of the Scrodinger and Poisson equations was carried out, which allowed to investigate the behavior of the function of electron concentration versus the coordinate in the direction of quantization in Si-inversion layers with substrate’s orientations (100) and (111). | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Влияние ориентации подложки на концентрацию инверсных электронов в Si-МОП-структуре | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2003, №3 (сентябрь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.