Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/211330| Заглавие документа: | Омические контакты к кристаллам алмаза типа IIb на основе трехслойной металлизации Ti/TiN/Au |
| Авторы: | Соловьев, Валерий Сергеевич Гусаков, Григорий Анатольевич Крекотень, Олег Владимирович |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2003 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2003. - № 3. – С. 24-30. |
| Аннотация: | The Ti/TiN/Au threelayer metallization scheme has been investigated as a contact metallization to semiconducting diamond. The optimum treatment regimes for which the current-voltage curves of Ti/TiN/Au contacts become linear and nitrogen does not diffuse into the carbide layer and adjacent region of diamond have been determined. Using this contact metallization system, Hall mobility, charge carriers concentration and the temperature dependences of resistivity in IIb type synthetic diamond have been measured. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/211330 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2003, №3 (сентябрь) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.