Исследование физических свойств упорядоченных массивов нанопроволок, квантовых точек и перовскитоподобных манганитов для создания функциональных элементов наноэлектроники и спинтроники («Конвергенция 3.1.04.1») : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научные руководители В. К. Ксеневич, В. А. Доросинец

Abstract

Объектом исследования являются квантовые точки InAs, пленки манганитов La0.67Ca0.33MnO3 на подложках SrTiO3 и MgO, массивы Te нанопроволок, пленки диоксида олова, монокристаллы La0.67Sr0.33MnO3, металлоуглеродные композиты, содержащие кластеры магнитных металлов C(Co). Цель работы - разработка методов создания композитов с включениями нанокластеров магнитных металлов, гетероструктур, содержащих полупроводниковые квантовые точки, массивов нанопроволок, металлооксидных пленок диоксида олова различного стехиометрического состава, тонких пленок манганитов, методов модификации электрофизических свойств манганитов, создание модели элекронного транспорта для пленок La0.67Ca0.33MnO3 в состоянии фазового распада магнитной системы с образованием кластеров с различными типами магнитного упорядочения. Основными методами исследования являются: измерение электропроводности в электрических и магнитных полях, измерение намагниченности в режимах охлаждения в магнитном поле и без магнитного поля, измерение разрешенного во времени дифференциального отражения от исследованных образцов в эксперименте «накачка–зондирование» лазерными импульсами фемтосекундной длительности. В результате выполнения НИР разработан метод модификации электрических свойств пленок манганитов La0.67Ca0.33MnO3, обеспечивающий возможности плавной регулировки температуры Кюри пленок; разработаны структуры, содержащие квантовые точки InAs для исследования их энергетической структуры методом емкостной спектроскопии; разработан аппаратно-програмный комплекс, позволяющий проводить измерения C(V) и C(f)-характеристик структур в автоматическом режиме; рассчитаны времена процесса магнитной релаксации пленок La0.67Ca0.33MnO3 в экспериментах «накачка–зондирование» сверхкороткими лазерными импульсами; установлены механизмы транспорта заряда в массивах Te нанопроволок и пленок диоксида олова. Степень внедрения: результаты НИР внедрены в учебный процесс в БГУ. Область применения: в научных и конструкторско-технологических учреждениях, ориентированных на проектирование быстродействующих элементов оптоэлектроники и магнитной памяти.