Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/210965
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Романов, И. А. | - |
dc.contributor.author | Моховиков, М. А. | - |
dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | - |
dc.contributor.author | Мильчанин, О. В. | - |
dc.contributor.author | Пархоменко, И. Н. | - |
dc.contributor.author | Власукова, Л. А. | - |
dc.contributor.author | Вендлер, Э. | - |
dc.contributor.author | Мудрый, А. В. | - |
dc.contributor.author | Живулько, В. Д. | - |
dc.date.accessioned | 2018-12-14T07:19:48Z | - |
dc.date.available | 2018-12-14T07:19:48Z | - |
dc.date.issued | 2018 | - |
dc.identifier.citation | Журнал Белорусского государственного университета. Физика = Journal of the Belarusian State University. Physics. - 2018. - № 3. - С. 54-64 | ru |
dc.identifier.issn | 2520-2243 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/210965 | - |
dc.description.abstract | Образцы SiO2 /Si имплантировались ионами олова с энергией 200 и 80 кэВ дозами 5 ⋅ 1016 и 1 ⋅ 1017 см–2 с последующим отжигом при 800 и 900 °C в течение 60 мин на воздухе. Структурные и излучательные свойства сформированных композитов (SiO2 + нанокластеры на основе Sn) изучались методами резерфордовского обратного рассеяния, просвечивающей электронной микроскопии в технике cross-section, фото- и электролюминесценции. В оксидной матрице сразу после имплантации формируется слой нанокластеров β-Sn. Термообработка в окисляющей атмосфере приводит к структурной перестройке имплантированных слоев – деформации изначально гладкой поверхности оксидной пленки и формированию в приповерхностной области дендритов, предположительно связанных с образованием фазы SnO2. Для образцов SiO2/Si после отжига наблюдается интенсивная фотолюминесценция в фиолетовой области спектра (∼3,1 эВ), а также интенсивная электролюминесценция при плотности тока через структуру более 2 мА /см2 . Корреляция спектров фото- и электролюминесценции позволяет сделать вывод о том, что и фото-, и электролюминесценция пленки SiO2, обогащенной оловом, обусловлены одними и теми же центрами свечения. Обсуждается природа наблюдаемого свечения. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Структура, фото- и электролюминесценция диоксида кремния, имплантированного высокими дозами ионов олова | ru |
dc.title.alternative | Structure, photo- and electroluminescence of silicon dioxide implanted with high fluensies of tin ions / I. A. Romanov, M. A Makhavikou, F. F. Komarov, O. V. Milchanin, I. N. Parkhomenko, L. A. Vlasukova, E. Wendler, A. V. Mudryi, V. D. Zhivulko | ru |
dc.type | article | en |
dc.description.alternative | Samples of SiO2/Si have been implanted with tin ions (200 and 80 keV, 5 ⋅ 1016 and 1 ⋅ 1017 cm–2) at room temperature and afterwards annealed at 800 and 900 °C for 60 min in air ambient. The structural and light emission properties of (SiO2 + Sn-based nanoclusters) composites have been studied using Rutherford backscattering spectroscopy, transmission electron microscopy in cross-section geometry, photo- and electroluminescence. For the as-implanted samples it has been shown the formation of metal β-Sn nanoclusters layer in oxide matrix. The heat treatment in oxidation ambient results in structural transformation of implanted layers. The initially flat surface of the sample becomes irregular (wave-like) and dendrites are formed in subsurface region of oxide film. The appearance of dendrites is most probably due to the SnO2 phase formation. Strong «violet» photo- and electroluminescence (∼3.1 eV) is observed for SiO2/Si sample after annealing. One could conclude from photo- and electroluminescence spectra correlation that the emission centers are the same for the both cases. The nature of the observed emission is discussed. | ru |
Располагается в коллекциях: | 2018, №3 |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.