Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/210965
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorРоманов, И. А.-
dc.contributor.authorМоховиков, М. А.-
dc.contributor.authorКомаров, Ф. Ф.-
dc.contributor.authorМильчанин, О. В.-
dc.contributor.authorПархоменко, И. Н.-
dc.contributor.authorВласукова, Л. А.-
dc.contributor.authorВендлер, Э.-
dc.contributor.authorМудрый, А. В.-
dc.contributor.authorЖивулько, В. Д.-
dc.date.accessioned2018-12-14T07:19:48Z-
dc.date.available2018-12-14T07:19:48Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationЖурнал Белорусского государственного университета. Физика = Journal of the Belarusian State University. Physics. - 2018. - № 3. - С. 54-64ru
dc.identifier.issn2520-2243-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/210965-
dc.description.abstractОбразцы SiO2 /Si имплантировались ионами олова с энергией 200 и 80 кэВ дозами 5 ⋅ 1016 и 1 ⋅ 1017 см–2 с последующим отжигом при 800 и 900 °C в течение 60 мин на воздухе. Структурные и излучательные свойства сформированных композитов (SiO2 + нанокластеры на основе Sn) изучались методами резерфордовского обратного рассеяния, просвечивающей электронной микроскопии в технике cross-section, фото- и электролюминесценции. В оксидной матрице сразу после имплантации формируется слой нанокластеров β-Sn. Термообработка в окисляющей атмосфере приводит к структурной перестройке имплантированных слоев – деформации изначально гладкой поверхности оксидной пленки и формированию в приповерхностной области дендритов, предположительно связанных с образованием фазы SnO2. Для образцов SiO2/Si после отжига наблюдается интенсивная фотолюминесценция в фиолетовой области спектра (∼3,1 эВ), а также интенсивная электролюминесценция при плотности тока через структуру более 2 мА /см2 . Корреляция спектров фото- и электролюминесценции позволяет сделать вывод о том, что и фото-, и электролюминесценция пленки SiO2, обогащенной оловом, обусловлены одними и теми же центрами свечения. Обсуждается природа наблюдаемого свечения.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleСтруктура, фото- и электролюминесценция диоксида кремния, имплантированного высокими дозами ионов оловаru
dc.title.alternativeStructure, photo- and electroluminescence of silicon dioxide implanted with high fluensies of tin ions / I. A. Romanov, M. A Makhavikou, F. F. Komarov, O. V. Milchanin, I. N. Parkhomenko, L. A. Vlasukova, E. Wendler, A. V. Mudryi, V. D. Zhivulkoru
dc.typearticleru
dc.description.alternativeSamples of  SiO2/Si have been implanted with tin ions (200 and 80 keV, 5 ⋅ 1016 and 1 ⋅ 1017 cm–2) at room temperature and afterwards annealed at 800 and 900 °C for 60 min in air ambient. The structural and light emission properties of (SiO2 + Sn-based nanoclusters) composites have been studied using Rutherford backscattering spectroscopy, transmission electron microscopy in cross-section geometry, photo- and electroluminescence. For the as-implanted samples it has been shown the formation of metal β-Sn nanoclusters layer in oxide matrix. The heat treatment in oxidation ambient results in structural transformation of implanted layers. The initially flat surface of the sample becomes irregular (wave-like) and dendrites are formed in subsurface region of oxide film. The appearance of dendrites is most probably due to the SnO2 phase formation. Strong «violet» photo- and electroluminescence (∼3.1 eV) is observed for SiO2/Si sample after annealing. One could conclude from photo- and electroluminescence spectra correlation that the emission centers are the same for the both cases. The nature of the observed emission is discussed.ru
Appears in Collections:2018, №3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
54-64.pdf1,24 MBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.