Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/208403
Title: Формирование ионнолегированных слоев в поликремнии c применением быстрой термообработки
Other Titles: Forming of ion-doped layers in polysilicon using fast thermal treatment / V.A. Pilipenko, V.N. Ponomar, V.A. Gorushko
Authors: Пилипенко, В. А.
Пономарь, В. Н.
Горушко, В. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2003
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 387-388.
Abstract: Рассмотрена возможность использования быстрой термической обработки для формирования ионнолегированных слоев в поликремнии Показано, что применение БТО позволяет избежать перераспределения внедренной примеси, получить более полную ее активацию. При этом имеют место низкие по сравнению с длительной термической обработкой значения величин поверхностных сопротивлений при минимальном их разбросе по площади пластины. Объяснен ускоренный процесс диффузии внедренной в поликремний примеси при использовании мощного светового потока
Abstract (in another language): It’s shown that fast thermal annealing (FTA) of ion-doped layers into polycrystalline silicon in the thermal balance mode by pulses of momentary duration ensures maximum ratio of electrical impurity activation at the minimum values of its redistribution and general charge carriers mobility. There was first established the effect of enhanced diffusion of impurities at FTA caused by appearance of electric field under influence of foton flow and pushing it into monocrystalline silicon with impurity accumulation on the boundary with polycrystalinne silicon. Appearance of electric field is related to generation of electron-hole pairs in the area of ion-doped layer and their joint diffusion with impurity introduced by ion doping, This effect is similar to Dember effect. For the usual thermal annealing such doubling of diffusion constant takes place only at first moment, as owing to high mobility of electrons and holes they dissolve quickly and then diffusion of introduced impurity only goes on. Under FTA irradiation during its influence constantly "pumps" electrons and holes which results in enhanced impurity diffusion in comparison with prolong thermal processing.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/208403
ISBN: 985-445-236-0; 985-445-235-2
Appears in Collections:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
387-388.pdf2,02 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.