Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/208403| Заглавие документа: | Формирование ионнолегированных слоев в поликремнии c применением быстрой термообработки |
| Другое заглавие: | Forming of ion-doped layers in polysilicon using fast thermal treatment / V.A. Pilipenko, V.N. Ponomar, V.A. Gorushko |
| Авторы: | Пилипенко, В. А. Пономарь, В. Н. Горушко, В. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2003 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 387-388. |
| Аннотация: | Рассмотрена возможность использования быстрой термической обработки для формирования ионнолегированных слоев в поликремнии Показано, что применение БТО позволяет избежать перераспределения внедренной примеси, получить более полную ее активацию. При этом имеют место низкие по сравнению с длительной термической обработкой значения величин поверхностных сопротивлений при минимальном их разбросе по площади пластины. Объяснен ускоренный процесс диффузии внедренной в поликремний примеси при использовании мощного светового потока |
| Аннотация (на другом языке): | It’s shown that fast thermal annealing (FTA) of ion-doped layers into polycrystalline silicon in the thermal balance mode by pulses of momentary duration ensures maximum ratio of electrical impurity activation at the minimum values of its redistribution and general charge carriers mobility. There was first established the effect of enhanced diffusion of impurities at FTA caused by appearance of electric field under influence of foton flow and pushing it into monocrystalline silicon with impurity accumulation on the boundary with polycrystalinne silicon. Appearance of electric field is related to generation of electron-hole pairs in the area of ion-doped layer and their joint diffusion with impurity introduced by ion doping, This effect is similar to Dember effect. For the usual thermal annealing such doubling of diffusion constant takes place only at first moment, as owing to high mobility of electrons and holes they dissolve quickly and then diffusion of introduced impurity only goes on. Under FTA irradiation during its influence constantly "pumps" electrons and holes which results in enhanced impurity diffusion in comparison with prolong thermal processing. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/208403 |
| ISBN: | 985-445-236-0; 985-445-235-2 |
| Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 387-388.pdf | 2,02 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.