Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/208389Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Ковалев, В. И. | - |
| dc.contributor.author | Руковишников, А. И. | - |
| dc.contributor.author | Хомич, А. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-11-09T08:12:29Z | - |
| dc.date.available | 2018-11-09T08:12:29Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 365-367. | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0; 985-445-235-2 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/208389 | - |
| dc.description.abstract | На примере исследований SIMOX- структур и имплантированных алмазных структур с заглубленными слоями продемонстрированы возможности спектральной (диапазон длин волн 270-1100 нм) эллипсометрии с бинарной модуляцией состояния поляризации (БМСП), в том числе с использованием импульсного Xe источника излучения. Определены спектры показателей преломления и поглощения скрытых слоев в ионно-имплантированных структурах, толщины и параметры поверхностных слоев и границ разделов. Представлены характеристики многоканальных СЭ с БМСП для in situ и ex situ использования с высокими метрологическими характеристиками. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Применение спектральной эллипсометрии c бинарной модуляцией состояния поляризации для исследования ионно-имплантированных структур | ru |
| dc.title.alternative | Application of binary modulation polarization spectroscopic ellipsometry for research of ion-implanted structures / V.I. Kovalev, A.I. Rukovishnikov, A.V. Khomich | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.description.alternative | Spectroscopic elilpsometry has long been recognized as a powerful technique to characterize thin films and complex multilay-ers, which enable one to measure the most technologically important material and process parameters: thickness, optical con-stants, growth rate, composition, temperature and structure of the surface and interfaces, Here we present the novel design of ellipsometers based on binary (discrete) polarization modulation (BPM). The key element ot the systems is a polarization switch which transforms unpolarized light from a source into highly lineary polarized light with alternate and orthogonal polarizations. The polarization switch ( instead of rotating) does not contain moving optical elements providing high precision due to an ab-sence of mechanical vibrations and wobbling in the optical track and digital modulation of the signal. Ellipsometers based on BPM and new polarized elements have high precision, long term stability, are simple in construction and effective in employ-ment. The results of SE measurements for polysilicon layers, SIMOX -structures and graphite-like buried layers in ion-implanted diamonds are discussed. The compact and portable 35-channel real-time spectroscopic BMP ellipsometers for ex-situ mapping and in-situ process and control were designed. | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 365-367.pdf | 2,87 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.