Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/208377Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Добрего, В. П. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-11-09T07:10:13Z | - |
| dc.date.available | 2018-11-09T07:10:13Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 340-342. | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0; 985-445-235-2 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/208377 | - |
| dc.description.abstract | Исследовано влияние особенностей межпримесной рекомбинации на кинетику прыжковой фотопроводимости, вызванной светом собственной полосы поглощения. Кратко рассмотрены различные зависимости вероятности межпримесных переходов от расстояния между донором и акцептором, Введено понятие эффективной компенсации полупроводника, позволяющее связать концентрацию неравновесных носителей заряда и прыжковую проводимость. В приближении низкого уровня возбуждения получено, уравнение кинетики прыжковой фотопроводимости охватывающее два этапа процесса релаксации с отличающимися уровнями возбуждения. Вычислены угловые коэффициенты зависимости мгновенного времени жизни фотопроводимости от времени, прошедшего после выключения света. Результаты расчета согласуются с экспериментальными данными, полученными на n-германии, компенсированном медью. Указана возможность использовать анализ кинетики прыжковой фотопроводимости для определения характера распределения примесей в полупроводнике. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Кинетика прыжковой фотопроводимости | ru |
| dc.title.alternative | The kinetics of hopping photoconductivity / V.Dobrego | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.description.alternative | The influence of particularities of interimpurity recombination on the kinetics of the hopping photoconductivity, caused by light of own band of absorption, is explored. Different dependencies of interimpurity transition probability from the distance between donors and acceptors are briefly discussed. The concept of effective semiconductor compensation is introduced which allow states relationship between nonequilibrium carriers concentration and hopping conductivity. The equation of kinetics of hopping photoconductivity in the low level exitation approximation, covering two stages of the process (with different excitation levels) is obtained. The angular factors of a function of photoconductivity instant lifetime from the time passed after light switching off are calculated. Results of the calculation agree with experimental dependencies, obtained on n-germanium, compensated by copper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 340-342.pdf | 2,76 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.