Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/208374
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Bondarenko, G. G. | - |
dc.contributor.author | Skazochkin, A. V. | - |
dc.date.accessioned | 2018-11-09T06:58:06Z | - |
dc.date.available | 2018-11-09T06:58:06Z | - |
dc.date.issued | 2003 | - |
dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 332-334. | ru |
dc.identifier.isbn | 985-445-236-0; 985-445-235-2 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/208374 | - |
dc.description.abstract | Ammonia flow change effect on phone Si concentration, free carrier concentration, deep centres and radiative recombination efficiency in GaP:N vapour phase layers is investigated by secondary ions mass spectroscopy methods, by deep levels transient spectroscopy and lumininescence, Received data have been used for building of empirical models of some electronic and hole traps in GaP. | ru |
dc.language.iso | en | ru |
dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Investigation of nonradiative recombination processes in gallium phosphide | ru |
dc.type | conference paper | ru |
Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
332-334.pdf | 2,95 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.