Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/208374
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorBondarenko, G. G.-
dc.contributor.authorSkazochkin, A. V.-
dc.date.accessioned2018-11-09T06:58:06Z-
dc.date.available2018-11-09T06:58:06Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 332-334.ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0; 985-445-235-2-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/208374-
dc.description.abstractAmmonia flow change effect on phone Si concentration, free carrier concentration, deep centres and radiative recombination efficiency in GaP:N vapour phase layers is investigated by secondary ions mass spectroscopy methods, by deep levels transient spectroscopy and lumininescence, Received data have been used for building of empirical models of some electronic and hole traps in GaP.ru
dc.language.isoenru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleInvestigation of nonradiative recombination processes in gallium phosphideru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
332-334.pdf2,95 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.