Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/207702
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЧелядинский, А. Р.-
dc.contributor.authorЯвид, В. Ю.-
dc.contributor.authorВенгерэк, П.-
dc.date.accessioned2018-10-26T06:57:04Z-
dc.date.available2018-10-26T06:57:04Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 206-208.ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0; 985-445-235-2-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/207702-
dc.description.abstractМетодами двухкристального рентгеновского спектрометра и ЭПР исследовано накопление радиационных дефектов в кремнии при имплантации ионов N+ при высокой плотности тока ионного пучка (20 мкА см-2, сканирующий пучок, Jэф, = 0.5 мкА см-2) и низкой (0.05 мкА см-2). При высокой плотности ионного тока радиационные дефекты накапливаются вплоть до аморфизации при 1х1015 см-2. При низкой плотности тока ионов кривая изменения периода решетки имеет осциллирующий характер, и аморфизация не достигается при дозе ионов 1х1015 см-2. Захват атомов N на вакансионные дефекты и процесс вытеснения азота из узлов решетки междоузельными атомами Si (замещение по Воткинсу) работает как дополнительный механизм аннигиляции точечных дефектов. При высокой плотности тока ионов этот процесс аннигиляции дефектов отсутствует в результате подавления эффекта Воткинса вследствие высокого уровня ионизации в имплантированном слое.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleНакопление радиационных дефектов в кремнии при имплантации ионов азотаru
dc.title.alternativeAccumulation of radiation defects in silicon implanted with nitrogen ions / A.R. Chelyadinskii, V.Yu. Yavid, P. Węgierekru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeThe accumulation of radiation defects in silicon implanted with 150 keV N+ ions at high ion current density (20 uA cm-2) and low density (0.05 uA cm-2) was investigated by means of X-ray double-crystal spectrometer and EPR method At high ion current density the radiation defects accumulate up to amorphization at the ion dose of 1x1015 cm-2. At low ion current density the curve of lattice parameter change on dose has oscillatory view and amorphization of the layer is not achieved at least up to ion dose of 1.4x1018 cm-2. The processes of the nitrogen atoms capture on the vacancy defects and Watkins displacement of them from the nodes work as additional channel of radiation defect annihilation. At high ion current densities and at high level of ionization in the implanted layer process of Watkins substitution is suppressed.ru
Располагается в коллекциях:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
206-208.pdf3,14 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.