Отжиг нелегированного арсенида галлия, облученного гамма-квантами Со60 и быстрыми электронами

Abstract

Исследовано влияние облучения гамма - квантами Co60 и электронами с энергией 4 МэВ и последующего изохронного отжига на концентрацию носителей заряда в монокристаллах нелегированного арсенида галлия п-типа. Концентрация носителей заряда уменьшается с ростом флюенса гамма-квантов и электронов по экспоненциальному закону. Получены коэффициенты снижения концентрации kn для случаев электронного и у-облучения для комнатной температуры измерений. Определена сравнительная эффективность воздействия на изменение концентрации носителей заряда в кристаллах n-GaAs при облучении электронами с E = 4 МэВ и гамма квантами Со60. Восстановление концентрации носителей заряда в процессе отжига в облученном у - квантами материале происходит в одну стадию и при более низкой температуре, в отличие от облученного электронами материала, где отжиг происходит в две стадии. Это указывает на различие радиационных дефектов, образующихся в процессе облучения гамма-квантами и электронами.