Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/20740
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Мычко, Д. И. | - |
dc.contributor.author | Лычковский, Ю. Н. | - |
dc.contributor.author | Каркоцкий, Г. Ф. | - |
dc.contributor.author | Боборико, Н. Е. | - |
dc.date.accessioned | 2012-10-31T15:17:01Z | - |
dc.date.available | 2012-10-31T15:17:01Z | - |
dc.date.issued | 2008 | - |
dc.identifier.citation | Свиридовские чтения: Сб. ст. Вып. 4. | ru |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/20740 | - |
dc.description | The influence of aluminium and gallium oxides addition on gas-sensitive properties of assorted oxide structures on the base of In2O3 was investigated. It was established that addition of gallium to the structure of indium oxide makes it possible to raise the output signal of sensors and their sensitivity. According to the data obtained from the physicochemical investigations improvement of the gas-sensitive characteristics of In2O3 correlate with structural chemical changes which take place in indium oxide at doping of gallium. In the aspect of the gas-sensing characteristics optimal Ga : In ratio in Ga2O3–In2O3 system is connected with appearance of a heterostructure which consists of rhombohedral and cubic indium oxide, β-Ga2O3 and (Ga,In)2O3 phases. | ru |
dc.description.abstract | Изучено влияние добавок оксидов галлия и алюминия на газочувствительные свойства смешанооксидных систем на основе In2O3. Установлено, что введение галлия в структуру оксида индия позволяет повысить выходной сигнал и селективность сенсоров. По данным проведенных физико-химических исследований улучшение газочувствительных характеристик In2O3 коррелирует со структурно-химическими изменения в оксиде индия при его легировании галлием, выявляемыми уже на стадии приготовления смешанного золя Ga(OH)3–In(OH)3, используемого для формирования газочувствительных нанокомпозитов. Оптимальное соотношение Ga : In в системе Ga2O3–In2O3 с точки зрения ее газочувстительных характеристик связано с появлением при определенном содержании галлия в In2O3 гетероструктуры, состоящей из ромбоэдрического и кубического оксида индия, фаз β-Ga2O3 и (Ga,In)2O3. Библиогр. 6 назв., ил. 7. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск: БГУ | ru |
dc.title | Структурные особенности и газочувствительные свойства систем на основе индивидуальных и смешанных оксидов индия, галлия и алюминия | ru |
dc.title.alternative | Structural peculiarities and gas-sensitive properties of systems on the base of individual and assorted indium, gallium and aluminium oxides | ru |
dc.type | Article | ru |
Располагается в коллекциях: | Статьи химического факультета |
Полный текст документа:
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.