Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/207131Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Дубовик, В. И. | - |
| dc.contributor.author | Невзгодов, А. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-10-16T07:54:13Z | - |
| dc.date.available | 2018-10-16T07:54:13Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 133-135. | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0; 985-445-235-2 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/207131 | - |
| dc.description.abstract | Приведены результаты исследования влияния у-излучения на электропроводность, холловскую подвижность и концентрацию свободных носителей заряда в монокристаллах GaAs:Te (с n0=0,42 - 3,8*1018 см3). Проведенные исследования показали, что в диапазоне поглощенных доз до 47 Мрад электропроводность для всех образцов остается постоянной, а значения холловской подвижности и концентрации изменяются не монотонным образом, причем максимум концентрации с увеличением степени легирования достигается при больших поглощенных дозах. Данные результаты объясняются взаимодействием примесной подсистемы кристалла и подвижных френкелевских дефектов, радиационного происхождения, а также изменением состояния структурных каналов проводимости. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Процессы преобразования примесной подсистемы в гамма-облученых монокристаллах GaAs:Te | ru |
| dc.title.alternative | Processes of transformation impurity subsistem in irradiated single crystals GaAs:Te / Viktor Dubovik, Alex Nevzgodoff | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.description.alternative | The actuality of investigation radiation defect formation in semiconductor crystals is caused by support of stability of microelectronics elements in radiation fields and availability of radiation technology methods for the creation of materials with novel properties. The influence of y-irradiation on the specific conductance (a), Hall mobility (Rx) and free carrier concentration in GaAs:Te single crystals is investigated in this paper. Single crystals of GaAs:Te grown by the Czochralski method with free-carrier densities n0=(0,42 - 3,8)*101a cm'3 were irradiated from a 90Co у ray source (Ea=1.17 MeV and 1,13 MeV, Tiit=300 K). The samples polished, and etched in H2SO t H2O2IH2O (3:1:1) polishing etchant. The measurement are executed by Van-der-Paw technique and Hall EMF method in temperature range 77-325 K. The investigations showed that in the absorbed dozes (D) range up to 47 Mrad for all samples s remains constant, and the experimental value of Rx and calculated value of n change non-monotonously. It is possible to explain the experimental results from the point of view of interaction impurity subsystem of a crystal with mobile Frenkel's defects formed in both Ga- and As-sublattice at y-irradiation. The conditions of course of various reactions are defined (determined) by parities (ratio) between sizes nTe, l„ D, where nTe - general concentration of tellurium, including both donor and cluster states The mobile components of reactions influence on states of structural channels of conductivity (Ioffe's model), and define electrical, galvanomagnetic properties of monocrystals GaAs:Te. The value D at which the anomalous values n are observed, depend on a doping level. It is demonstrated by a position of maximum n at displacement In range of large value D with increase n0. | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 133-135.pdf | 2,76 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.