Дефектообразование при совместной имплантации кремния лантаноидами и легирующими примесями

Abstract

Методами измерения спектров электронного парамагнитного резонанса, ИК поглощения в сочетании с последовательным удалением слоев и обратного резерфордовского рассеяния исследовались процессы радиационного дефектообразования при имплантации ионами Yb монокристаллов кремния. Показано, что дополнительное внедрение ионов РЗЭ позволяет существенно снизить содержание в имплантированном материале радиационных дефектов, таких как парамагнитные центры аморфной фазы. Данный эффект наиболее выражен на образцах, предварительно облученных ионами бора или сурьмы. При обратной схеме имплантации существенных различий замечено не было. Наблюдаемые явления обусловлены трансформацией оборванных связей атомов кремния и легирующих примесей (В, Р) полями упругих напряжений, создаваемыми РЗЭ.