Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206808Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Комаров, А. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Жуковски, П. | - |
| dc.contributor.author | Комаров, А. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-10-09T10:48:54Z | - |
| dc.date.available | 2018-10-09T10:48:54Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 59-61. | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0; 985-445-235-2 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206808 | - |
| dc.description.abstract | Создана система моделирования процессов ионной имплантации и осаждения слоев различных материалов на металлы одним и тем же пучком. Данный комплекс программ позволяет описать ионно-ассистируемое осаждение, а также вычислить радиальное и глубинное распределение осажденных/имплантированных атомов. Результаты моделирования позволили сделать выводы о влиянии энергии ионного пучка, массы и флюенса ионов и, особенно, геометрии распыляемой мишени. Также представлены экспериментальные результаты по глубинным распределениям имплантированных атомов и толщинам нанесенных слоев. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Процессы ионно-ассистируемого осаждения слоев металлов в однопучковой системе | ru |
| dc.title.alternative | Processes of ion beam assisted deposition of metal layers by one beam system / Fadey Komarov, Alexander Komarov, Pawel Zhukovski, Andrey Kamarou | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.description.alternative | An original approach and a one beam experimental setup for in situ ion implantation combined with the deposition of various materials on metals are suggested. A simulation system developed makes it possible to characterize ion-assisted deposition, as well as to analyze the radial and depth distribution of atoms deposited and implanted. Results of simulation allow us to conclude that the ion beam energy, the mass and fluence of the ions, and especially the target geometry have a noticeable effect on the processes. Experimental data for the depth profiles of atoms implanted and for the thickness of films applied are also reported. The variation of the film thickness, the uniformity of the films, and the efficiency of mixing in the film-substrate system are discussed based on the results of simulation and experimental data. | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.