Эффекты самоорганизации, вызванные накоплением антиструкгурных дефектов в кристаллах под облучением

Abstract

В работе представлены результаты теоретического анализа неустойчивостей стационарного однородного распределения точечных дефектов, которые возникают в упорядоченных бинарных сплавах и бинарных полупроводниках под облучением. Теоретически предсказано возникновение временных и пространственных неустойчивостей (т.е. неустойчивостей по отношению к нестационарному решению и по отношению к неоднородному распределению дефеіаов). Временные неустойчивости возникают в результате накопления и последующего самоподдерживающегося отжига антиструктурных дефектов. Такие неустойчивости приводят к возникновению автоколебаний концентрации дефектов и температуры образца. Пространственные неустойчивости возникают вследствие упругого взаимодействия между точечными дефектами. Эти неустойчивости приводят к пространственным осцилляциям концентрации антиструктурных дефектов (т.е. осцилляциям состава сплава).