Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204599Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Хижняк, Екатерина Александровна | - |
| dc.contributor.author | Юхневич, Анатолий Викторович | - |
| dc.date.accessioned | 2018-08-29T09:07:31Z | - |
| dc.date.available | 2018-08-29T09:07:31Z | - |
| dc.date.issued | 2004 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 2, Химия. Биология. География. – 2004. - № 2. – С. 22-24. | ru |
| dc.identifier.issn | 0372-5340 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204599 | - |
| dc.description.abstract | In this report the influence of concentration and temperature of KOH solutions on etching rate of Si-monocrystals is investigated. Activation energy and also the type of Si-microplanes self-formed in the course of etching near right angles of oxide masks, the sides of which are oriented in various crystallographic directions on Si (100) surface were determined. Analogous datas were obtained for KOH solutions with isopropanol (IPA) addition. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия | ru |
| dc.title | Самоформирование микрорельефа поверхности монокристаллического кремния при анизотропном травлении | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2004, №2 (июнь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.