Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/204310
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМакаренко, Л. Ф.-
dc.contributor.authorЯвид, Ю. А.-
dc.contributor.authorЛатушко, Я. И.-
dc.contributor.authorЗамятин, Н. И.-
dc.date.accessioned2018-08-27T11:23:37Z-
dc.date.available2018-08-27T11:23:37Z-
dc.date.issued2001-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 178-180ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/204310-
dc.description.abstractПоказано, что общепринятые модели электронной структуры ряда радиационных дефектов в кремнии не являются адекватными. Для прогностического моделирования характеристик облученных кремниевых детекторов частиц требуется их пересмотр.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleИдентификация моделей радиационных дефектов в кремнии для прогнозирования радиационной стойкости детекторов излученийru
dc.title.alternativeIdentification of radiation defect models to predict hardness of silicon detectors for ionizing radiation / L.F.Makarenko, V.Yu.Yavid, Ya.l.Latushko, N.I.Zamiatinru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeThe validity of a single-level model to interpret temperature dependencies of charge carrier concentration in n-Si crystals irradiated by Co-60 gamma-rays is investigated. It is shown that the consideration of a vacancy-oxygen complex (the A-center) in silicon as a isolated monovalent defect vi/ith energy level close to Ec-0.17eV does not allow to describe adequately Hall effect data for crystals in which the A-center is dominant. From carbon related complexes the single-level model is adequate only for interstitial carbon C. The explanation of experimental data for a CrCs complex requires more complex models. The acceptable description of experimental dependencies of n(T) can be achieved only within the framework of various two-level models. However the acceptance of any of them entails a conclusion that the investigated radiation defects are coupled in pairs even at very low irradiation fluences.ru
Располагается в коллекциях:2001. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
178-180.pdf736,66 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.