Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204263Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Богатырёв, Ю. В. | - |
| dc.contributor.author | Жданович, Н. Е. | - |
| dc.contributor.author | Марченко, И. Г. | - |
| dc.contributor.author | Карась, В. И. | - |
| dc.contributor.author | Трощинский, В. Т. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-08-27T06:50:49Z | - |
| dc.date.available | 2018-08-27T06:50:49Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 111-113 | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204263 | - |
| dc.description.abstract | Рассматриваются результаты по исследованию изменений времени жизни неравновесных носителей заряда, кинетики накопления и распада основных рекомбинационных и компенсирующих дефектов в p'^-п-п''-структурах на высокоомном ядерно-легированном кремнии (ЯЛК) при электронном облучении и последующем отжиге. Проведено сравнение с результатами аналогичных исследований для структур на основе кремния, легированного фосфором в процессе выращивания по методу Чохральского. Обсуждается возможность регулирования быстродействия приборов на основе ЯЛК - структур путем использования рекомбинационных свойств радиационно-термических дефектов с повышенной термостабильностью. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Исследование радиационного дефектообразования в многослойных структурах на ЯЛК | ru |
| dc.title.alternative | Investigation of radiation defects formation in multilayer structures on NTD silicon / Yu.V.Bogatyrev, N.E.Zhdanovich, I.G.Marchenko, V.I.Karas', V.T.Troschinskii | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.description.alternative | The results of investigations of the lifetime radiation-induced changes and accumulation and annealing kinetics of radiation and radiation-thermal defects in p -n-n —structures, manufactured on high resistivity, floating zone growth, neutron transmutation doped (NTD) silicon at electron irradiation with energy 6 MeV and subsequent annealing in temperature range 20-600°C have been shown . Comparison with the same parameters of p*-n-n^-structures manufactured on Cz-growth silicon have been done. The possibility of the devices operation speed regulation with utilization of the recombination properties of the thermostable radiation-thermal defects have been shown. | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 111-113.pdf | 711,82 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.