Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/203906Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Никифоренко, Н. Н. | - |
| dc.contributor.author | Лабуда, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Камышан, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Пилько, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Бондаренок, В. П. | - |
| dc.contributor.author | Бурмаков, А. П. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-08-22T08:55:45Z | - |
| dc.date.available | 2018-08-22T08:55:45Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 82-84 | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/203906 | - |
| dc.description.abstract | Разработан газоразрядный высокочастотный реактор для синтеза тонких пленок нитрида углерода из продуктов взаимодействия азотной плазмы с графитом, отличающийся малой мощностью разряда - до 200 Вт и низким расходом азота - до 100 cMV4ac. Рассмотрен механизм процессов в реакторе с использованием данных эмиссионной спектроскопии плазмы и анализа состава получаемых слоев методом обратного резерфордовского рассеяния. Получена первая серия образцов пленок с отношением концентраций атомов углерода и азота 5 / 3 . | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Синтез пленок нитрида углерода в плазме ВЧ разряда | ru |
| dc.title.alternative | Carbon nitride films synthesize by RF plasma discharge / F.F.Komarov, N.N.Nikiforenko, A.A.Labuda, A.S.Kamyshan, V.V.PiIko, V.P.Bondarionok, A.P.Burmakov | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.description.alternative | The experimental discharge vacuum cell for carbon nitride thin films deposition was developed and the principles if it operation ware investigated. Plasma chemical vapor deposition with high frequency nitrogen glow discharge at 13,56 MHz and power to 0,2 kW has been used to grow thin carbon nitride films on Si and substrate. The atomic carbon was supplied by plasma chemical etching pure hard graphite. Simultaneously the plasma of RF discharge was investigated by emission spectroscopy. Information of elemental composition carbon nitride films was obtained by the Rutherford back scattering spectrometry (RBS). RBS spectra have shown that the ratio of C / N in the first series of carbon nitride films was about 5 / 3 . | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.